IPS10N03LA G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPS10N03LA G
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Πακέτο	PG-TO251-3-11
Σε απόθεμα	5423 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide IPx10N03LA G Multiple Devices 04/Jun/2009

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5423 κομμάτια του Infineon Technologies IPS10N03LA G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO251-3-11
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	52W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1358 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	11 nC @ 5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	25 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IPS10N